面對技術封鎖和地緣政治挑戰，俄羅斯正積極尋求獨立發展相關技術。國際電子商情20日從外媒獲悉，俄羅斯計劃自主開發EUV光刻機，目標是制造出比ASML光刻機更經濟、更易于制造的設備……
綜合CNews、Tom′s Hardware報道，俄羅斯科學院微結構物理研究所（IPM RAS）宣布了一項名為“高性能X射線光刻發展新概念”的計劃，旨在開發工作波長為11.2納米的新型光刻設備。這一創新技術與荷蘭ASML公司的標準13.5納米波長設備相比，預計將設備的分辨率提高20%，同時降低研發成本并簡化制造流程。
俄羅斯還計劃使用氙作為激光等離子光源，替代傳統的錫，以減少光學元件的污染，并延長關鍵零部件的使用壽命。
此外，新設備可能采用含硅光刻膠，以提升11.2納米波長下的加工效率，為小規模芯片生產提供實用解決方案。
研發計劃分為三個階段：第一階段聚焦于基礎研究和關鍵技術辨識；第二階段制造每小時處理60片200毫米晶圓的原型機，并整合至國內芯片生產線；第三階段的目標是開發每小時處理60片300毫米晶圓的工業應用設備。盡管俄羅斯光刻機的產量預計為ASML設備的37%，光源功率為3.6千瓦，但這一性能已足夠滿足小規模生產需求。俄羅斯計劃自主7nm芯片光刻機設備在2028年實現全面投產，效率預計比ASML光刻機高1.5-2倍。
信息來源:ESM China
日期：2024年12月23日
