報道稱，鎧俠計劃于2026年量產第10代NAND，并決定采用低溫蝕刻技術。該技術允許在更低溫的環境下進行蝕刻，從而使存儲器的存儲單元間的存儲通孔（memory hole）以更快的速度形成。
而這種效率的提升不僅可以減少生產時間，還能大幅提高單位時間的生產量。相比傳統的電漿蝕刻法，低溫蝕刻的加工速度提升了約4倍，標志著存儲技術的一次重要革新。
_20240611155654_717.png "鎧俠計劃2026年量產第10代NAND 采用低溫蝕刻技術")
2023年6月，Tokyo Electron成功開發出一種用于存儲芯片的通孔蝕刻技術。該設備可用于制造400層以上堆疊的3D NAND閃存芯片。TEL當時表示，該技術首次將電蝕刻應用帶入到低溫范圍中，產生了具有極高蝕刻速率的系統。這項創新技術可在短短33分鐘內實現10μm深的高縱橫比(晶圓上形成的圖案的深度與寬度之比)蝕刻。
目前，市場傳出存儲廠商都將采用低溫蝕刻設備。其中，三星電子正在通過進口該設備的演示版本來評估相同的技術，而這些測試的結果將決定半導體制造中低溫蝕刻技術的未來采用和潛在的標準化。
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日期：2024年6月27日
