三星、SK海力士在提高標(biāo)準(zhǔn)DRAM和NAND芯片產(chǎn)量方面仍保持保守態(tài)度。據(jù)悉，8Gb DDR4 DRAM 通用內(nèi)存的合約價(jià)在四月份環(huán)比上漲了 17%，但面向閃存盤等便攜存儲(chǔ)設(shè)備的 128Gb（16Gx8）MLC 通用閃存的價(jià)格卻按兵不動(dòng)。
這主要是因?yàn)樗脑鲁醯呐_(tái)灣地區(qū)地震影響了美光內(nèi)存產(chǎn)能，短時(shí)間內(nèi)推動(dòng)通用內(nèi)存需求走高。整體來看通用存儲(chǔ)芯片的需求并未真正復(fù)蘇，下游企業(yè)仍持有相當(dāng)數(shù)量的庫(kù)存。
_20240522154412_237.png "三星、SK海力士對(duì)通用存儲(chǔ)芯片增產(chǎn)持保守態(tài)度")
另一方面，國(guó)際地緣政治局勢(shì)目前處于不穩(wěn)定狀態(tài)。近期中東地區(qū)局勢(shì)緊張，美國(guó)大選年也對(duì)全球貿(mào)易帶來額外的不穩(wěn)定因素，兩重影響交織下通用存儲(chǔ)芯片需求的可見度已然降低。
此外，AI 熱潮下 HBM 內(nèi)存需求旺盛，而 HBM 的晶圓消耗量是通用 DRAM 的 2~3 倍。在三星電子、SK 海力士積極擴(kuò)產(chǎn) HBM 的背景下，通用 DRAM 的晶圓投片量勢(shì)必得到抑制。
今年下半年將迎來蘋果 iPhone 16 系列、三星 Galaxy Z 系列等重磅智能手機(jī)的發(fā)布，報(bào)道預(yù)測(cè)這波新機(jī)潮有望成為原廠增產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)芯片的契機(jī)。
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日期：2024年5月23日
