研調機構TrendForce集邦咨詢于17日舉辦了AI服務器論壇。據美光透露，他們已經長時間準備了DDR5技術，并且HBM的產能在2025年之前已經達到了滿載。美光在各種存儲器產品方面有多種布局，并為AI數據中心提供了強大的支持。
美光在全球布局超過54,000項專利，存儲器和存儲技術領先業界，目前已經醞釀很久DDR5，下一代會做到1γ制程，采用EUV制程技術，計劃2025年率先在中國臺灣量產。
_20240520163100_966.png "美光存儲器迎來新進展")
美光表示，公司擁有廣泛的產品群組、長周期生命產品，以及完整的系統規劃。隨著AI改變數據中心生態，讀取方式已經不同，必須跟著AI神經網路模式運作，因此深度學習的讀寫比率已經到5000:1，意味著讀取速度遠超過寫入速度，因此選擇合適的儲存設備相當重要。
對此，美光也進行服務器架構優化，當GPU服務器和SSD以1:1方式進行訓練，效能會做到最好。另外，隨著AI時代來臨，在AI效能和成本間的平衡也越發重要，美光推出能最佳化現有系統并延長設備壽命的DDR4，速度高達3,200MT/s。在多核心CPU架構下，美光DDR5以6,400MT/s速度，使頻寬增至DDR4的2倍、深度學習效能為DDR4的5倍、AI性能提升7倍，支持AI、HPC和企業負載。
NAND部分，美光目前推出232層NAND，以穩定在產品上應用為主，并同步發展HBM3e甚至HBM4。美光表示，CXL也是未來相當重要的發展方向，目前推出的CZ120為存儲器擴充模組，可提供更多容量、頻寬和靈活配置，是較為前端的應用，目前樣品已經分享給合作伙伴。
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日期：2024年5月21日
